63-8115-84 PMGD280UN,115 Dual N-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V, 6-Pin SOT-363 Nexpersia PMGD280UN,115
คุณลักษณะ
- Dual N-Channel MOSFET, Nexpersia
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(3000 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:870 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:340 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- ค่าแรงขั้นต่ําเกต: 0.45V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-363 (SC-88)
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:400 mW
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- หมายเลขรหัส:166-0609
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8115-84 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | PMGD280UN,115 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 74,800
USD: 465.41
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(3000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|