63-8087-51 ［เลิกผลิตแล้ว］STH80N10F7-2 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V StripFET H7, 3-Pin H2PAK-2 STMcrifectories STH80N10F7-2
คุณลักษณะ
- N-Channel StripFETTM H7 Series, STM Microectorelectors STripFETTM MOSFETM พร้อมด้วยช่วงแรงดันไฟฟ้าอันกว้างไกล มอบประจุ ultra-low gate และความต้านทานต่ํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ชนิดช่อง:N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดในปัจจุบัน:80 A
- แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
- แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:9.5 Ω
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4.5V
- ค่าแรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ:H2PAK-2
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:พลังงาน
- การกระจายพลังงานสูงสุด:110 W
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป:1
- รหัส:792-5877
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8087-51 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STH80N10F7-2 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,210
USD: 7.59
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |