Infineon

63-8032-02 IRFI4110GPBF N-Channel MOSFET, 72 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220ABFP Infineon IRFI4110GPBF

คุณลักษณะ

  • N-Channel Power MOSFET 100V, Infinion ช่วงที่ไม่สิ้นสุดของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ N-channel mount และแพกเกจ Lead และ Form Factor ที่สามารถระบุรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบการระบายความร้อนได้ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
  • ชนิดช่อง:N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:72 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด:100 V
  • แหล่งที่มาของแรงต้านทานสูงสุด:4.5 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:4V
  • แรงดันไฟฟ้าเกทต่ําสุด: 2V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-20 V, +20 V
  • ประเภทแพคเกจ:TO-220ABFP
  • ชนิดการเมาต์:ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:Single
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท:พลังงาน
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:61 W
  • ความยาว:10.75 มม.
  • รหัส:827-3962
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8032-02
หมายเลขแบบจําลอง IRFI4110GPBF
ราคามาตรฐาน JPY: 1,460 USD: 9.15
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(2pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์