ON Semiconductor

63-8007-41 [เลิกผลิตแล้ว]FDS8958B Dual N/P-Channel MOSFET, 4.5 A, 6.4 A, 30 V PowerTrench, 8 พิน SOIC บน Semiconductor FDS8958B

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น PowerTrench® MOSFET ล่าสุด ใช้โครงสร้างเกตที่มีฉนวนป้องกัน ซึ่งให้ดุลในการเรียกเก็บค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีที่ล้ําหน้านี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าเป็นอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวอ่อนของ PowerTrench® MOSFETs สามารถกําจัดวงจรย่อยหรือแทนที่ MOSFET ที่มีระดับแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้น

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(2500 ชิ้น)
  • ชนิดของช่อง:N, P
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน: 4.5 A, 6.4 A
  • แรงดันไฟฟ้าที่มากที่สุดที่จะลด: 30 V
  • ที่มาแรงต้านทานสูงสุด:39 Ω นาที 80 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด:1V
  • แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุดที่มา:-25 V, -20 V, +20 V, +25 V
  • ประเภทแพ็คเกจ:SOIC
  • ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์:ไม่ระบุ
  • โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • การกระจายพลังงานสูงสุด:1.6 W, 2 W
  • ซีรีส์:เพาเวอร์เทรนจ์
  • รหัส:166-3211
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-8007-41
หมายเลขแบบจําลอง FDS8958B
ราคามาตรฐาน JPY: 553,000 USD: 3,440.77
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(2500pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -