63-8007-11 [เลิกผลิตแล้ว]NDP6020P-Channel MOSFET, 24 A, 20 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor NDP6020P
คุณลักษณะ
- โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์: ด้วยแรงดันไฟฟ้าควบคุม P-Channel สัญญาณขนาดเล็ก สวิตช์ High-Density cell design High-Station Superior switching Technology ประสิทธิภาพ DMOS ที่ทนทานและเชื่อถือได้ โปรแกรมประยุกต์: การสลับการโหลด DC/DC การป้องกันแบตเตอรี่ตัวแปลง Power Management ควบคุมมอเตอร์ DC
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดที่วาดอย่างต่อเนื่องในปัจจุบัน:24 A
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดูด:80 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.4V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-8 V, +8 V
- ชนิดแพคเกจ:TO-220
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนหมุด: 3
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด:60 W
- ความจุสัญญาณอินพุตทั่วไป @ Vds:1590 pF@-10 V
- หมายเลขรหัส:145-5345
| หมายเลขใบสั่ง | 63-8007-11 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NDP6020P | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 8,730
USD: 54.72
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]NDP6020P-Channel MOSFET, 24 A, 20 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor NDP6020P](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/8007/11/63800711.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)