63-7969-75 ［เลิกผลิตแล้ว］NTZD3155CT1G Dual N/P-Channel MOSFET, 450 mA, 570 mA, 20 V, 6-Pin SOT-563 บน Semiconductor NTZD3155CT1G
คุณลักษณะ
- Dual N/P-Channel MOSFET, ใน Semiconductor NTJD1155L เป็น MOSFET แบบแชนแนลคู่ มีทั้ง P และ N-channel ‘ อยู่ในแพกเกจเดียว MOSFET นี้มีความยอดเยี่ยมมากสําหรับสัญญาณควบคุมต่ํา แรงดันไฟฟ้าต่ําและกระแสไฟที่โหลดสูง คุณลักษณะ N-channel ได้รับการป้องกัน ESD ภายในและสามารถถูกขับเคลื่อนด้วยสัญญาณตรรกะต่ําถึง 1.5V ในขณะที่ P-Channel ได้รับการออกแบบให้ใช้ในการโหลดโปรแกรมประยุกต์การสลับการทํางาน P-channel ยังได้รับการออกแบบด้วยเทคโนโลยี ON กึ่งของเทรนช์
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ชนิดของช่อง:N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุดในปัจจุบัน:450 mA, 570 mA
- ค่าแรงสูงสุดของแรงดัน:20 V
- ที่มาแรงต้านทานสูงสุด: Ω2, 900 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด:1V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มา:-6 V, +6 V
- ประเภทแพ็คเกจ:SOT-563
- ชนิดการเมาต์:การเมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน: 6
- โหมดแชนเนล:การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท:สัญญาณขนาดเล็ก
- การกระจายพลังงานสูงสุด:280 mW
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน:+150°ซ.
- รหัส:780-4809
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7969-75 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NTZD3155CT1G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,000
USD: 6.22
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |