63-7812-88 [เลิกผลิตแล้ว]MTD3055VL N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, DPAK 3 พินบน Semiconductor MTD3055VL
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 12 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 180 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 48 ดับเบิลยู
- วัสดุทรานซิสเตอร์ : ซี
- รหัส:761-4549
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7812-88 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MTD3055VL | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,030
USD: 6.41
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]MTD3055VL N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, DPAK 3 พินบน Semiconductor MTD3055VL](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/7812/88/63781287.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)