ON Semiconductor

63-7812-86 MTP3055VL N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor MTP3055VL

คุณลักษณะ

  • โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 12 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 180 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -15 V, +15 V
  • ชนิดแพคเกจ: ทู-220
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • จํานวนพิน : 3
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 48 ดับเบิลยู
  • จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
  • รหัส:761-4542
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-7812-86
หมายเลขแบบจําลอง MTP3055VL
ราคามาตรฐาน JPY: 2,280 USD: 14.29
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์