63-7812-85 MTP3055VL N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V, 3 พิน to-220 บน Semiconductor MTP3055VL
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 12 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 180 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -15 V, +15 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 48 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
- หมายเลขรหัส:145-5555
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7812-85 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MTP3055VL | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 10,600
USD: 66.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|