ON Semiconductor

63-7670-37 [เลิกผลิตแล้ว]FQP8N80C N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V QFET, 3 พิน ทู-220AB บน Semiconductor FQP8N80C

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, 6A ถึง 10.9A, Semiconductor แบบแฟร์ไชลด์ MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 8 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 800 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 1.55 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 178 ดับเบิลยู
  • มิติ : 10.1 x 4.7 x 9.4 มม.
  • รหัส:145-4314
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-7670-37
หมายเลขแบบจําลอง FQP8N80C
ราคามาตรฐาน JPY: 24,400 USD: 152.95
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1set(50pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -