ON Semiconductor

63-7669-88 [เลิกผลิตแล้ว]FQT5P10TF P-Channel MOSFET, 1 A, 100 V QFET, 3+Tab-Pin SOT-223 บนตัวนํา FQT5P10TF

คุณลักษณะ

  • QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: ย
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 1 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 100 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 1.05 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ: โซที-223
  • ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน : 3 + แท็บ
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 2 วัตต์
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 12 นาที
  • รหัส:671-1068
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-7669-88
หมายเลขแบบจําลอง FQT5P10TF
ราคามาตรฐาน JPY: 800 USD: 4.98
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -