63-7565-02 Semikron SKM200GB125D, SEMITRANS3, N-Channel Dual Half Bridge IGBT Module, 200 A สูงสุด, 1200 V, Panel Mount SKM200GB125D
คุณลักษณะ
- โมดูล IGBT แบบคู่ โมดูล SEMITOP® IGBT หลากหลายจาก Semikron ประกอบด้วยอุปกรณ์ IGBT แบบต่อชุด (ครึ่งบริดจ์) สองตัว โมดูลนี้มีแรงดันไฟฟ้าและการจัดอันดับกระแสไฟฟ้าเป็นจํานวนมาก และเหมาะสําหรับแอพพลิเคชั่นสลับเปลี่ยนพลังงานอย่าง AC inverter moter drives และ Interruptable Power Splies แพ็คเกจ SEMITOP® แบบกะทัดรัดเหมาะสําหรับการสลับความถี่สูงถึง 12kHz จากแผ่นทองแดงที่ติดตั้งโดยใช้เทคโนโลยีทองแดงที่เคลือบข้อมูลไว้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: อนุกรม
- ตัวเก็บรวบรวมแบบต่อเนื่องสูงสุด: 200 เอ
- แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของตัวตรวจจับ: 1200 วี
- แรงดันไฟฟ้าเครื่องส่งสัญญาณสูงสุด: ± 20V
- ประเภทช่อง: N
- ชนิดการเมาต์: เมาต์ของแผง
- ชนิดแพคเกจ: เซมิทรานส์3
- จํานวนพิน : 3
- มิติ : 106.4 x 61.4 x 30.5 มม.
- ความสูง : 30.5 มม.
- ความยาว : 106.4 มม.
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +150 °ซ.
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -40 °ซ.
- รหัส:468-2454
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7565-02 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SKM200GB125D | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 118,000
USD: 739.67
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|