63-7503-05 BSP135H6327XTSA1 N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Depletion SIPMOS, 3+Tab-Pin SOT-223 Infinition BSP135H6327XTSA1
คุณลักษณะ
- Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(1000 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 120 เอ็มเอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 600 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 45 Ω
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-223
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล : ลดลง
- ประเภท : สัญญาณขนาดเล็ก
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 1.8 วัตต์
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- รหัส:911-4805
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7503-05 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSP135H6327XTSA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 100,000
USD: 627.27
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(1000pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|