63-7038-13 ［เลิกผลิตแล้ว］BSC032NE2LSATMA1 N-Channel MOSFET, 84 A, 25 V OptiMOS, 8 พิน TDSON Infineon BSC032NE2LSATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOS Power MOSFET Family
- OptiMOS products are packaged in a high-performance package for even the most challenging applications. This allows for maximum flexibility in limited space. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the next generation of stringent voltage regulation standards for computing applications.
- N Channel - Enhanced Mode On-Vehicle AEC Q101 Certified MSL1 Peak Reflow Up to 260 °C Operating Temperature of 175 °C Environmentally Friendly Product (Lead-free) Ultra Low Rds (on)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 84 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 25 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 4.8 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทีดีสัน
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 37 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- รหัส:133-9939
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7038-13 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC032NE2LSATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 530
USD: 3.30
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |