63-7037-65 ［เลิกผลิตแล้ว］BSC0921NDIATMA1 Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V OptiMOS, 8 พิน Tison Infineon BSC0921NDIATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOS Dual Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 40 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 7 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทิสัน
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- รหัส:133-9832
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7037-65 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC0921NDIATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 960
USD: 6.02
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |