63-7020-51 IRFS4010TRL7PPN-Channel MOSFET, 190 A, 100 V HEXFET, 7 + Tab-Pin D2PAK Infineon IRFS4010TRL7PP
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 100 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 190 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 100 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 4 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: D2PAK (TO-263)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 7 + แท็บ
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 380 ดับเบิลยู
- ความยาว : 10.67 มม.
- รหัส:130-0998
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7020-51 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFS4010TRL7PP | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,090
USD: 13.00
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|