63-7020-37 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFH5302TRPBF N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFH5302TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 100 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 3.5 มΩ
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.35V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.35V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: PQFN
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 100 ดับเบิลยู
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 22 นาที
- หมายเลขรหัส:130-0981
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7020-37 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFH5302TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,090
USD: 6.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |