63-7020-34 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFH5215TRPBF N-Channel MOSFET, 27 A, 150 V HEXFET, 8-Pin PQFN Infineon IRFH5215TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 150 → 600 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a reed surface mount package and a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 27 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 150 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 58 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: PQFN
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 104 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +150 °ซ.
- รหัส:130-0978
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7020-34 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFH5215TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 940
USD: 5.89
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |