63-7020-20 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7905TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 7.8 A, 8.9 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon IRF7905TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 30 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 7.8 เอ, 8.9 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 21.3 มΩ, 29.3 ม.Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.25V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.35V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2 วัตต์
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- รหัส:130-0963
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7020-20 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7905TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 880
USD: 5.52
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |