63-7020-18 ［เลิกผลิตแล้ว］IRF7854TRPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 80 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infinion IRF7854TRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 60 → 80 V, Infineon
- Infineon's discrete HEXFETR power MOSFET products include an N-channel device in a surface mount package with a lead. In addition, it includes a form factor for almost any board layout or thermal design challenge. Benchmarking resistance across the range reduces conductive loss, enabling optimal system efficiency.
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 10 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 80 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 13.4 มΩ
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4.9V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- หมายเลขรหัส:130-0961
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7020-18 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF7854TRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 930
USD: 5.83
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |