63-7019-86 IPP055N03LGXSA1 N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V OptiMOS3, 3+Tab-Pin to-220 Infineon IPP055N03LGXKSA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOS3 Power MOSFET, up to 40 V
- OptiMOS products are packaged in a high-performance package for even the most challenging applications. This allows for maximum flexibility in limited space. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the next generation of stringent voltage regulation standards for computing applications.
- JEDEC1-compliant N channel, logic level superior gate charge x R DS (on) product (FOM) ultra-low on-resistance R DS (on) lead-free plating for technologically targeted applications optimized for DC/DC converters for fast switching MOSFETs and SMPS
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 50 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 7.8 มΩ
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.2V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 68 วัตต์
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
- รหัส:130-0923
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7019-86 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPP055N03LGXKSA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,220
USD: 7.59
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|
