63-7019-82 ［เลิกผลิตแล้ว］IPN60R2K1CEATMA1 N-Channel MOSFET, 3.7 A, 650 V CoolMOS CE, 3 + แท็บ-Pin SOT-223 Infineon IPN60R2K1CEATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOS CE Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 3.7 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 650 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 2.1 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-223
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 5 วัตต์
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +150 °ซ.
- หมายเลขรหัส:130-0919
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7019-82 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPN60R2K1CEATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,180
USD: 7.34
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |