63-7019-79 ［เลิกผลิตแล้ว］IPN50R800CEATMA1 N-Channel MOSFET, 7.6 A, 550 V CoolMOS CE, 3 + แท็บ-Pin SOT-223 Infineon IPN50R800CEATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon CoolMOS CE Power MOSFET
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 7.6 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 550 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 800 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.5V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-223
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3 + แท็บ
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 5 วัตต์
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -40 °ซ.
- หมายเลขรหัส:130-0915
| หมายเลขใบสั่ง | 63-7019-79 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPN50R800CEATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,550
USD: 9.64
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |