63-5180-47 IRF640NPBF N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon IRF640NPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 150V ถึง 600V อินฟินิออน การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(50 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 18 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 200 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 150 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 150 ดับเบิลยู
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป : 10 นาที
- รหัส:919-4817
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5180-47 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRF640NPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 5,800
USD: 36.36
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(50pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|