63-5139-79 IRLR024NTRPBF N-Channel MOSFET, 17 A, 55 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon IRLR024NTRPBF
คุณลักษณะ
- N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon การใช้พลังงาน HEXFET® MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องของ Infineon ประกอบด้วยอุปกรณ์ N-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ซึ่งสามารถตอบได้เกือบทุกรูปแบบของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อน เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(25 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 17 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 55 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 110 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -16 V, +16 V
- ชนิดแพคเกจ: DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 45 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
- รหัส:830-3341
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5139-79 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRLR024NTRPBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,970
USD: 18.62
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(25pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|