63-5139-77 ［เลิกผลิตแล้ว］IRFU6215PBF P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V HEXFET, 3-Pin IPAK Infineon IRFU6215PBF
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET 100V ถึง 150V, Infineon รูปแบบการแยกของ HEXFET® power MOSFET® ที่ไม่ต่อเนื่องนั้นมีอุปกรณ์ P-channel mount บนพื้นผิวและแพกเกจ leaded และ form factor ที่สามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 13 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 150 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 580 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 110 ดับเบิลยู
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- รหัส:830-3240
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5139-77 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IRFU6215PBF | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,240
USD: 7.77
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |