63-5137-91 ［เลิกผลิตแล้ว］SPP08P06PHXKSA1 P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V SIPMOS, 3-Pin to-220 Infineon SPP08P06PHXKSA1
คุณลักษณะ
- Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET P- channel MOSFET ของ Infineon SIPMOS ® มีคุณลักษณะหลายประการซึ่งอาจรวมถึงโหมดการปรับปรุง, กระแสไฟฟ้าที่ถ่ายข้อมูลต่อเนื่องซึ่งมีอุณหภูมิต่ําถึง -80A บวกด้วยช่วงอุณหภูมิในการทํางานที่กว้างขึ้น ทรานซิสเตอร์ SIPMOS Power สามารถใช้ได้ในหลายแอพพลิเคชั่นซึ่งรวมไปถึง Telecom, eMobility, โน้ตบุ๊ค, อุปกรณ์ DC/DC รวมทั้งอุตสาหกรรมยานยนต์ วัยมันส์ AEC Q101 ที่เข้าเกณฑ์ (โปรดดูตารางข้อมูล) การใส่ตะกั่วไร้สารตะกั่ว แบบ Pb, เป็นไปตามข้อกําหนด RoHS
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 8.8 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 300 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.1V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 42 วัตต์
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- รหัส:826-8279
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5137-91 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SPP08P06PHXKSA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 630
USD: 3.92
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |