63-5130-31 SI4909DY-T1-GE3 Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4909DY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(20 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 6.5 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 40 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 34 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 3.2 วัตต์
- ความกว้าง : 4 มม.
- รหัส:818-1302
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5130-31 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4909DY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 3,520
USD: 22.08
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(20pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|