63-5122-95 ［เลิกผลิตแล้ว］FQA4N30 N-Channel MOSFET, 43 A, 300 V QFET, 3-Pin to-3PN ใน Semiconductor FQA44N30
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, มากกว่า 31A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 43 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 300 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 69 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: to-3PN
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +150 °ซ.
- รหัส:808-8988
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5122-95 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQA44N30 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,320
USD: 14.54
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |