ON Semiconductor

63-5122-08 FQPF27P06 P-Channel MOSFET, 19 A, 60 V QFET, 3-Pin to-220 บน Semiconductor FQPF27P06

คุณลักษณะ

  • QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: ย
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 19 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 70 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
  • ชนิดแพคเกจ: ทู-220
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • จํานวนพิน : 3
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 120 ดับเบิลยู
  • ความจุอินพุททั่วไป @ Vds : 1100 pF @ -25 V
  • รหัส:807-5901
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-5122-08
หมายเลขแบบจําลอง FQPF27P06
ราคามาตรฐาน JPY: 2,600 USD: 16.30
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(10pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์