63-5119-19 [เลิกผลิตแล้ว]LM311DR2G บนเซมิคอนดักเตอร์, การเปรียบเทียบ, CMOS O/P, 200ns 36 V 8 พิน SOIC LM311DR2G
คุณลักษณะ
- ตัวเปรียบเทียบบนตัวนํากึ่งตัวนํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1set(25 ชิ้น)
- ชนิดตัวเปรียบเทียบ : วัตถุประสงค์ทั่วไป
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ประเภทเพาเวอร์ซัพพลาย: คู่, เดี่ยว
- ชนิดผลลัพธ์ : CMOS
- จํานวนแชนแนลต่อชิป: 1
- เวลาการตอบสนองทั่วไป : 200 นิ้ว
- จํานวนพิน : 8
- แรงดันไฟฟ้าซัพพลายเดี่ยวทั่วไป: 36 วี
- มิติ : 5 x 4 x 1.5 มม.
- ความยาว : 5 มม.
- ความกว้าง : 4 มม.
- ความสูง : 1.5 มม.
- การขยายแรงดันไฟฟ้าทั่วไป: 200 V/mV
- รหัส:805-1365
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5119-19 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | LM311DR2G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 750
USD: 4.71
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1set(25pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]LM311DR2G บนเซมิคอนดักเตอร์, การเปรียบเทียบ, CMOS O/P, 200ns 36 V 8 พิน SOIC LM311DR2G](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5119/19/63511919.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)