63-5102-33 ［เลิกผลิตแล้ว］SIGH25N40D-GE3 N-Channel MOSFET, 25 A, 400 V D Series, 3 พิน to-247AC Vishay SIHG25N40D-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 25 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 400 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 170 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-247เอซี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 278 ดับเบิลยู
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- รหัส:787-9169
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5102-33 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SIHG25N40D-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 760
USD: 4.73
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |