63-5102-29 SI4850EY-T1-GE3 แชนแนล MOSFET, 8.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4850EY-T1-GE3
คุณลักษณะ
- N-Channel MOSFET, 60V ถึง 90V, Vishay Semiconductor
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 8.5 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 47 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 3.3 วัตต์
- เวลาหน่วงในการเปิดใช้งานโดยทั่วไป : 10 นาที
- รหัส:787-9014
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5102-29 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4850EY-T1-GE3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,680
USD: 16.68
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|