63-5095-53 [เลิกผลิตแล้ว]บน Semi 100V 3A, Schottky Diode, 2 พิน DO-41 MBR3100G MBR3100G
คุณลักษณะ
- ผลิตภัณฑ์ที่มี NSV-, SBR- หรือ S-prefixed Manufacturer Nos เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติทางรถยนต์ AEC-Q101 ใน Semiconductor Schottky Barrier Diodes บน Semiconductor Schottky power rectifier นี้ใช้หลักการ Schottky proced ที่ใช้โลหะกั้นเพื่อสร้างการแลกเปลี่ยนกระแสไฟฟ้าที่ดีที่สุด เหมาะสําหรับแรงดันไฟฟ้าต่ํา การปรับความถี่สูง รวมทั้งไดโอดป้องกันไฟฟ้าและความเป็นปึกแผ่นในการใช้งาน Surface Mount ในทุกที่ที่มีขนาดกะทัดรัดและน้ําหนักมากขึ้นคือกุญแจสําคัญ Pb-Free ได้รับการออกแบบมาเพื่อการปรับแต่งส่วนประกอบบอร์ดอัตโนมัติเพื่อช่วยป้องกันความเข้มงวดของ Epoxy Molded Case Lightweight 11.7mg แพกเกจ
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ค่าสูงสุดต่อเนื่องต่อไป : 3เอ
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด: 100วี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- ชนิดแพคเกจ: โด-41
- เทคโนโลยีไดโอด : แบบแผน
- จํานวนพิน : 2
- การลดแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ : 790เอ็มวี
- เส้นผ่านศูนย์กลาง : 5.3 มม.
- กระแสกระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าที่ไม่ซ้ําซ้อนกันสูงสุด: 150เอ
- รหัส:781-5672
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5095-53 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | MBR3100G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 620
USD: 3.86
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]บน Semi 100V 3A, Schottky Diode, 2 พิน DO-41 MBR3100G MBR3100G](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5095/53/63509553.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)