63-5090-28 บน Semi 1000V 3A, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-201AD 1N5408G 1N5408G
คุณลักษณะ
- ผลิตภัณฑ์ที่มี NSV หรือ SUR-prefixed Manufacturers Part Nos เป็นผลิตภัณฑ์ที่มีคุณสมบัติเหมาะสําหรับ AEC-Q101 แบบยานยนต์ ตัวเรียงกระแสสัญญาณ, 2A ถึง 3A, บนตัวนํา
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด : ซิงเกิล
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด: 1000วี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- ชนิดแพคเกจ: DO-201AD
- เทคโนโลยีไดโอด : รอยต่อซิลิคอน
- จํานวนพิน : 2
- การลดแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ : 1 V
- เส้นผ่านศูนย์กลาง : 5.3 มม.
- กระแสกระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าที่ไม่ซ้ําซ้อนกันสูงสุด: 200เอ
- รหัส:774-3344
ขนาดแพ็คเกจ：140×80×10 mm 20 g [เกี่ยวกับขนาดแพ็คเกจ]
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5090-28 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | 1N5408G | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 290
USD: 1.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|