63-5088-26 SI4532DY Dual N/P-Channel MOSFET, 3.5 A, 3.9 A, 30 V, 8 พิน SOIC บนตัวนํา SI4532DY
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor ทรานซิสเตอร์สําหรับโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นนั้นผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี Fairchlid ที่มีความหนาแน่นเซลล์สูง, DMOS กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับที่รวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N, P
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 3.5 เอ, 3.9 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 95 Ω ม. Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: โซอิค
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2 วัตต์
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 2
- รหัส:772-8938
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5088-26 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SI4532DY | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,070
USD: 12.88
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|