63-5070-54 [เลิกผลิตแล้ว]STW55NM60ND N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V FDmesh, 3-Pin to-247 STMไมโครอิเล็กทรอนิกส์ STW55NM60ND
คุณลักษณะ
- N-Channel FDmeshTM Power MOSFET, STM Microelectronics
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 51 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 600 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 60 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-247
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 350 ดับเบิลยู
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 188 นาที
- รหัส:761-0336
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5070-54 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STW55NM60ND | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,700
USD: 10.66
Excange rate 1USD= 159.42JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]STW55NM60ND N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V FDmesh, 3-Pin to-247 STMไมโครอิเล็กทรอนิกส์ STW55NM60ND](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5070/54/63507054.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)