63-5070-12 [เลิกผลิตแล้ว]AIRF4905 P-Channel MOSFET, 74 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon AUIRF4905
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET ของยานยนต์, อินฟินิออน ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ P-channel mosfET ที่ติดตั้งบนพื้นผิวและแพกเกจ lead และ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 74 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 55 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 20 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-220เอบี
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 200 ดับเบิลยู
- ความสูง : 16.51 มม.
- รหัส:760-4246
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5070-12 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRF4905 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 390
USD: 2.45
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]AIRF4905 P-Channel MOSFET, 74 A, 55 V HEXFET, 3-Pin to-220AB Infineon AUIRF4905](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/5070/12/63507012.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)