63-5059-25 BSC340N08NS3GATMA1 N-Channel MOSFET, 23 A, 80 V OptiMOS 3, 8 พิน TDSON Infineon BSC340N08NS3GATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTM3 Power MOSFETs, 60 ถึง 80V ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ การสลับ MOSFET อย่างรวดเร็วสําหรับเทคโนโลยี SMPS ที่ปรับตามความเหมาะสมสําหรับตัวแปลง DC/DC ที่ตรงตามหลักเกณฑ์ของ JEDEC1) สําหรับแอพพลิเคชันเป้าหมาย N แชนแนล, ระดับ Overlic gate charge x R ผลิตภัณฑ์ (OFM) ต่ํามากสําหรับแพลตฟอร์ม DS(on) แบบปราศจาก Pb
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 23 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 80 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 66 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.5V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: ทีดีสัน
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 8
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 32 วัตต์
- ความกว้าง : 6.1 มม.
- รหัส:754-5320
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5059-25 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | BSC340N08NS3GATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 820
USD: 5.14
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|