63-5058-16 IPD30N10S3L34ATMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 100 V OptiMOS T, DPAK Infineon 3 พิน IPD30N10S3L34ATMA1
คุณลักษณะ
- Infineon OptiMOSTMT Power MOSFET ผลิตภัณฑ์ OptiMOSTM มีในแพ็คเกจประสิทธิภาพสูง เพื่อรับมือกับแอปพลิเคชันที่ท้าทายมากที่สุด เพื่อให้มีความยืดหยุ่นสูงสุดในช่องว่างที่จํากัด ผลิตภัณฑ์จํากัดเหล่านี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ตรงตามและสูงกว่าความต้องการด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานและความหนาแน่นของพลังงาน ของมาตรฐานการควบคุมแรงดันไฟฟ้าที่คมที่สุดในยุคถัดไปในการใช้งานคอมพิวเตอร์ N-channel - Enhancement mode Aotomice AEC Q101 ที่มีคุณสมบัติ MSL1 สูงสุดถึง 260°C ระดับสูงสุดเพื่อการไหลในอุณหภูมิในการทํางาน 175°C ผลิตภัณฑ์สีเขียว (เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS)
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 30 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 100 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 42 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 2.4V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1.2V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 57 วัต
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 18 นาที
- รหัส:753-3018
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5058-16 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | IPD30N10S3L34ATMA1 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 2,520
USD: 15.80
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|