63-5048-64 ［เลิกผลิตแล้ว］ไต้หวันกึ่ง 100V 1A, Schottky Diode, Sub SMA SS110L R3 แบบ 2 พิน SS110L R3
คุณลักษณะ
- Schottky Barrier Diodes สูงถึง 1A ไต้หวัน Semiconductor สูญเสียพลังงานต่ํา แรงดันไฟฟ้าต่ํา ปล่อย ความสามารถในการจ่ายกระแสไฟฟ้าสูง
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(50 ชิ้น)
- การกําหนดค่าไดโอด : ซิงเกิล
- จํานวนองค์ประกอบต่อชิป: 1
- แรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับสูงสุด: 100วี
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- ชนิดแพคเกจ: SMA ย่อย
- เทคโนโลยีไดโอด : แบบแผน
- จํานวนพิน : 2
- การลดแรงดันไฟฟ้าสูงสุดสําหรับส่งต่อ : 800ม.วี
- กระแสกระแสกระแสไฟฟ้าล่วงหน้าที่ไม่ซ้ําซ้อนกันสูงสุด: 30เอ
- รหัส:743-5995
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5048-64 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | SS110L R3 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,740
USD: 10.83
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(50pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |