63-5037-98 ［เลิกผลิตแล้ว］AUIRFR6215 P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V HEXFET, 3-Pin DPAK Infineon AUIRFR6215
คุณลักษณะ
- P-Channel Power MOSFET ของยานยนต์, อินฟินิออน ผลงานที่ครอบคลุมของ AECQ-101 อุปกรณ์แบบไดย์ N-channel แบบซิงเกิลครอบคลุมของ Infineon จะระบุถึงความต้องการด้านพลังงานที่หลากหลายในหลายๆ แอพพลิเคชั่น ช่วงของ HEXFET® power MOSFET แบบไม่ต่อเนื่องนี้ประกอบด้วยอุปกรณ์ P-channel mosfET ที่ติดตั้งบนพื้นผิวและแพกเกจ lead และ form factor ซึ่งสามารถระบุได้ว่าเค้าโครงของบอร์ดและการทดสอบการออกแบบระบายความร้อนได้เกือบทุกรูปแบบ เกณฑ์มาตรฐานความต้านทานในช่วงช่วยลดผลเสียในการนําไฟฟ้า ทําให้นักออกแบบสามารถมอบประสิทธิภาพของระบบได้อย่างสูงสุด
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(2 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 13 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 150 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 580 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 4วี
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -20 V, +20 V
- ชนิดแพคเกจ: DPAK (TO-252)
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 110 ดับเบิลยู
- อุณหภูมิต่ําสุดในการทํางาน: -55 °ซ.
- รหัส:737-7411
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5037-98 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | AUIRFR6215 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 400
USD: 2.51
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(2pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |