63-5004-80 ［เลิกผลิตแล้ว］STQ1HNK60R-AP N-Channel MOSFET, 400 mA, 600 V MDmesh, SuperMESH, 3-Pin to-92 STMicroelecters STQ1HNK60R-AP
คุณลักษณะ
- N-Channel MDmeshTM SuperMESHTM, 250V ถึง 650V, STMcroelectronics
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(10 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 400 เอ็มเอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 600 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 8.5 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตสูงสุด: 3.7V
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2.25V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: ทู-92
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 3 วัตต์
- มิติ : 4.95 x 3.94 x 4.95 มม.
- รหัส:714-6796
| หมายเลขใบสั่ง | 63-5004-80 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | STQ1HNK60R-AP | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 560
USD: 3.48
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(10pieces) | |
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |