ON Semiconductor

63-4937-16 [เลิกผลิตแล้ว]FQU1N60CTU N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V QFET, IPAK 3-Pin บน Semiconductor FQU1N60CTU

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, สูงถึง 5.9A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 1 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 600 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 11.5 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
  • ชนิดแพคเกจ: IPAK (TO-251)
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
  • มิติ : 6.6 x 2.3 x 6.1 มม.
  • รหัส:671-5345
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-4937-16
หมายเลขแบบจําลอง FQU1N60CTU
ราคามาตรฐาน JPY: 460 USD: 2.88
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -