63-4937-13 [เลิกผลิตแล้ว]FQU11P06TU P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, IPAK 3 พินบน Semiconductor FQU11P06TU
คุณลักษณะ
- โหมดการปรับปรุง P-Channel MOSFET บน Semiconductor บน Semiconductors ในช่วง P-Channel MOSFETS นั้นถูกผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ที่มีราคาไม่แพง, ความหนาแน่นของเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดการต้านทานต่อสถานะเพื่อให้ประสิทธิภาพการทํางานทนทานและเชื่อถือได้สําหรับการสลับที่รวดเร็ว คุณลักษณะและคุณประโยชน์:
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 9.4 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 185 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: IPAK (TO-251)
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 15 นาที
- รหัส:671-5335
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4937-13 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQU11P06TU | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 1,070
USD: 6.66
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQU11P06TU P-Channel MOSFET, 9.4 A, 60 V, IPAK 3 พินบน Semiconductor FQU11P06TU](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4937/13/63493713.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)