ON Semiconductor

63-4937-08 [เลิกผลิตแล้ว]FQPF65N06 N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V QFET, 3-Pin to-220F บน Semiconductor FQPF65N06

คุณลักษณะ

  • QFET® N-Channel MOSFET, มากกว่า 31A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: N
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 40 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 16 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
  • ชนิดแพคเกจ: 220เอฟ
  • ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
  • การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 56 ดับเบิลยู
  • อุณหภูมิสูงสุดในการทํางาน: +175 °ซ.
  • รหัส:671-5288
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-4937-08
หมายเลขแบบจําลอง FQPF65N06
ราคามาตรฐาน JPY: 1,070 USD: 6.71
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
  เลิกผลิตแล้ว
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น -