63-4937-06 [เลิกผลิตแล้ว]FQPF47P06 P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V QFET, 3 พิน to-220F บน Semiconductor FQPF47P06
คุณลักษณะ
- QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: ย
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 30 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 60 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 26 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 2 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
- ชนิดแพคเกจ: 220เอฟ
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- จํานวนพิน : 3
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 62 วัตต์
- ความสูง : 9.19 มม.
- รหัส:671-5269
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4937-06 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQPF47P06 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 290
USD: 1.82
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQPF47P06 P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V QFET, 3 พิน to-220F บน Semiconductor FQPF47P06](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4937/06/63493706.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)