63-4936-76 [เลิกผลิตแล้ว]FQA19N60 N-Channel MOSFET, 18.5 A, 600 V QFET, 3-Pin to-3PN บน Semiconductor FQA19N60
คุณลักษณะ
- QFET® N-Channel MOSFET, 11A ถึง 30A, Fairchild Semiconductor MOSFET ใหม่ของ QFET® Planar MOSFET แบบ Fairchild ใช้เทคโนโลยีที่เป็นเทคโนโลยีเฉพาะเพื่อมอบประสิทธิภาพในการดําเนินงานที่ยอดเยี่ยมที่สุดสําหรับแอพพลิเคชันต่างๆ ซึ่งรวมถึงพาวเวอร์ซัพพลาย, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Panels (PDP), lighting ballasts และการควบคุมการเคลื่อนไหว ทําให้การสูญเสียสถานะลดลงด้วยการลดความต้านทาน (RDS(เปิด) และทําให้การสลับลดลงด้วยการลดค่าประตู (Qg) และการเก็บประจุเอาท์พุท (Coss) ด้วยการใช้เทคโนโลยีการประมวลผล QFET® ขั้นสูง Fairchild จึงสามารถนําเสนอค่าตอบแทนที่ดีขึ้นของประสิทธิภาพการทํางาน (FOM) สําหรับอุปกรณ์ MOSFET ที่กําลังแข่งขันกันอยู่ได้
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1 ชิ้น
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 18.5 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 600 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 380 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 3 วี
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -30 V, +30 V
- ชนิดแพคเกจ: to-3PN
- ชนิดการเมาต์: ผ่านทางรู
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 300 ดับเบิลยู
- เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 150 นาที
- รหัส:671-4913
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4936-76 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | FQA19N60 | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 480
USD: 2.99
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1piece | |
|
|
||
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น | - | |
![[เลิกผลิตแล้ว]FQA19N60 N-Channel MOSFET, 18.5 A, 600 V QFET, 3-Pin to-3PN บน Semiconductor FQA19N60](https://aimg.as-1.co.jp/c/63/4936/76/63493675.jpg?v=03790be0f2ba82c1280907a7033cf49dabaaa7c1)