63-4936-36 NDS331N แชนแนล MOSFET, 1.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 บน Semiconductor NDS331N
คุณลักษณะ
- โหมดปรับปรุง N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Field Effect Transisters (FET) ของโหมดการปรับปรุงผลิตขึ้นโดยใช้เทคโนโลยี DMOS ซึ่งเป็นเทคโนโลยีเฉพาะของแฟร์ไชลด์, ความหนาแน่นเซลล์สูง กระบวนการที่มีความหนาแน่นสูงนี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ ให้ประสิทธิภาพที่ทนทานและเชื่อถือได้ และการสลับอย่างรวดเร็ว
ข้อมูลจําเพาะ
- ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
- ประเภทช่อง: N
- รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 1.3 เอ
- ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 20 วี
- ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 160 Ω
- แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 0.5V
- แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: +8 V
- ชนิดแพคเกจ: โซที-23
- ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
- การกําหนดค่าทรานซิสเตอร์: ซิงเกิล
- โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
- ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
- การกระจายพลังงานสูงสุด: 500 ม.ว.
- ความจุอินพุททั่วไป @ Vds : 162 pF @ 10 V
- รหัส: 671-1078
| หมายเลขใบสั่ง | 63-4936-36 | |
|---|---|---|
| หมายเลขแบบจําลอง | NDS331N | |
| ราคามาตรฐาน |
JPY: 670
USD: 4.20
Excange rate 1USD= 159.53JPY
Valid price in Japan |
|
| ปริมาณ | 1bag(5pieces) | |
| หุ้นในประเทศญี่ปุ่น |
|
|
| หุ้นซัพพลายเออร์ |
|
|