ON Semiconductor

63-4936-09 FDS6675BZ P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V PowerTrench, 8 พิน SOIC บนตัวนํา FDS6675BZ

คุณลักษณะ

  • PowerTrench® P-Channel MOSFET, เซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์ PowerTrench® MOSFET คือสวิตช์พาวเวอร์ที่มีประสิทธิภาพสูงสุดซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบและความหนาแน่นของพลังงาน ทั้งนี้ยังรวมค่าธรรมเนียมเกตขนาดเล็ก (Qg), ค่าธรรมเนียมในการกู้คืนย้อนกลับขนาดเล็ก (Qr) และไดโอดสําหรับการกู้คืนแบบย้อนกลับนุ่มนวล ซึ่งทําให้การเปลี่ยนแปลงแบบซิงโครนัสในพาวเวอร์ซัพพลาย AC/DC รวดเร็วยิ่งขึ้น โครงสร้าง Shielded-gate ของ PowerTrench® MOSFET ล่าสุดที่ใช้งาน ซึ่งให้ดุลค่าธรรมเนียม ด้วยการใช้เทคโนโลยีขั้นสูงนี้ FOM (รูปที่คุณค่า) ของอุปกรณ์เหล่านี้จะต่ํากว่ารุ่นก่อนหน้าอย่างมาก ประสิทธิภาพของไดโอดของตัวถังที่นุ่มนวลของ PowerTrench® MOSFET สามารถกําจัดวงจรที่ตัดออกหรือเปลี่ยนอัตราแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้นของ MOSFET

ข้อมูลจําเพาะ

  • ปริมาณ:1ถุง(5 ชิ้น)
  • ประเภทช่อง: ย
  • รูปวาดต่อเนื่องสูงสุด: 11 เอ
  • ค่าแรงดันสูงสุดของแรงดัน : 30 วี
  • ความต้านทานสูงสุดของแหล่งที่มาการดราฟ : 13 Ω
  • แรงดันไฟฟ้าเกตต่ําสุด: 1 V
  • แรงดันไฟฟ้ามากที่สุดที่มาของเกท: -25 V, +25 V
  • ชนิดแพคเกจ: โซอิค
  • ชนิดการเมาต์: เมาต์พื้นผิว
  • จํานวนพิน : 8
  • โหมดแชนเนล : การเพิ่มประสิทธิภาพ
  • ประเภท : พาวเวอร์มอสเฟต
  • การกระจายพลังงานสูงสุด: 2.5 วัตต์
  • เวลาหน่วงในการปิดปกติ : 120 นาที
  • รหัส:671-0598
  •  
หมายเลขใบสั่ง 63-4936-09
หมายเลขแบบจําลอง FDS6675BZ
ราคามาตรฐาน JPY: 790 USD: 4.92
Excange rate 1USD= 160.72JPY
Valid price in Japan
ปริมาณ 1bag(5pieces)
หุ้นในประเทศญี่ปุ่น
หุ้นซัพพลายเออร์